近年來(lái)，存算一體芯片備受關(guān)注，該芯片結(jié)合存儲(chǔ)和計(jì)算功能，具有廣闊的應(yīng)用前景。存算一體依托的存儲(chǔ)介質(zhì)呈現(xiàn)多樣化，包括易失性存儲(chǔ)器(如SRAM、DRAM)和非易失性存儲(chǔ)器(如NOR Flash)。不同存儲(chǔ)介質(zhì)各有各的優(yōu)點(diǎn)和短板，如NOR Flash具有低成本和高可靠性，但存在工藝制程瓶頸;DRAM成本低、容量大，但速度慢且需要不斷刷新;SRAM在速度方面有優(yōu)勢(shì)，但容量密度小且價(jià)格高。目前，多數(shù)廠商傾向于采用技術(shù)成熟的SRAM設(shè)計(jì)存算一體芯片，但部分廠商也會(huì)采用“多駕馬車(chē)”并驅(qū)的策略。

存算一體計(jì)算還可以根據(jù)電路技術(shù)路徑進(jìn)行分類(lèi)，包括數(shù)字存算和模擬存算。數(shù)字存算適合大規(guī)模高計(jì)算精度芯片的實(shí)現(xiàn)，并具有較好的運(yùn)算靈活性和通用性，但要求存儲(chǔ)單元內(nèi)容以數(shù)字信號(hào)形式呈現(xiàn)。而模擬存算在計(jì)算精度較低的條件下可以提高能量效率，并能搭載任意存儲(chǔ)單元，但關(guān)鍵模擬模塊的轉(zhuǎn)換精度相對(duì)固定，并且不同模擬計(jì)算方式可能存在計(jì)算誤差，擴(kuò)展性存在一定挑戰(zhàn)。

近年來(lái)，存算一體領(lǐng)域在學(xué)術(shù)界進(jìn)行了大量探索，提出了多種加速器架構(gòu)，并制備了存算一體芯片原型。在國(guó)內(nèi)，也涌現(xiàn)出了一批存算一體初創(chuàng)企業(yè)，研發(fā)了基于不同存儲(chǔ)器(如SRAM、閃存、RRAM)的存算一體芯片，并已有產(chǎn)品問(wèn)世。

然而，存算一體芯片仍面臨諸多挑戰(zhàn)。在芯片設(shè)計(jì)方面，架構(gòu)設(shè)計(jì)的難度和復(fù)雜度較高，同時(shí)缺乏成熟的存算一體軟件編譯器、專(zhuān)用EDA工具輔助設(shè)計(jì)與仿真驗(yàn)證。在芯片測(cè)試方面，同樣缺乏成熟的測(cè)試工具。此外，存算一體芯片還面臨生態(tài)方面的挑戰(zhàn)，如缺乏相應(yīng)的軟件生態(tài)和統(tǒng)一的編程接口，導(dǎo)致軟件生態(tài)分散，限制了存算一體芯片的大規(guī)模應(yīng)用。

雖然存算一體芯片被視為下一代芯片，但目前仍處于起步階段，受限于成熟度和應(yīng)用范圍。然而，隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和研究的不斷深入，存算一體芯片有望在未來(lái)展現(xiàn)出更大的潛力和應(yīng)用空間。